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连年来，中国新动力汽车市集发展相等迅猛。左证中汽协数据夸耀，2023年，中国新动力汽车销量达到了949.5万辆，同比增长37.9%，市集占有率已达31.6%。瞻望2024年，中国新动力汽车销量可能将达到1200-1300万辆，市占率可能越过45%，同期将占据各人新动力汽车总销量的约60%。

额外是跟着新动力汽车关于动力转换后果、充电后果、续航时辰等方面的要求也越来越高，也推动了关于具有高功率密度、耐高温、耐高压、体积更小等诸多上风的SiC功率硅器件需求的快速增长。

不外，在10月22日，由EEVIA主理的第12届中国硬科技产业链编削趋势峰会暨百家媒体论坛行径上，清纯半导体(宁波)有限公司市集司理詹旭标则暗意，跟着各人SiC材料产能的快速膨大，以及中国SiC器件联想及制造时间发展快速，产能合手续膨大，瞻望到2026年各人碳化硅市集将会出现严重的产能满盈。然则中国厂商SiC时间的合手续迭代，一经达到并排国际一线厂商的水平，中国畴昔或将主导各人SiC半导体产业。

△清纯半导体(宁波)有限公司市集司理詹旭标

碳化硅功率器件为新动力汽车带来两大致道上风

碳化硅是一种由硅和碳构成的化合物半导体材料，具有宽带隙、高电子搬动率、高热导率和强电场击穿强度等特色，是主要的第三代半导体材料。这些特有的物感性质使得碳化硅器件在高温度、高频率、高电压以及高功率哄骗中发达出比传统硅器件更优异的性能。

具体来说，碳化硅器件不错在高达600°C的温度下融会责任，其电阻率险些保合手不变(约0.03Ω·cm)，是以它不仅耐高温，且散热性能也相等好。而传统硅器件的责任温度上限时常在150°C傍边；碳化硅宽能隙脾气使其具有更低的导通和开关损耗，从而提高了动力转换后果；碳化硅的高电子搬动率使得器件能在高频哄骗中发达出低损耗和高速率的特色；碳化硅器件还能够承受比硅器件更高的电压，可靠性更高，而况有助于减吝啬件尺寸和系统老本。

在詹旭标看来，SiC功率器件给新动力汽车带来了两大致道公道：

1、晋升新动力汽车的续航里程。收货于SiC MOSFET低导通电阻、低开关损耗的特色，新动力汽车电机限度器有望达成70%的损耗下落，进而增多约5%行驶里程。

2、惩处了新动力汽车的补能心焦问题。目下通盘这个词新动力汽车行业都是通过晋升充电的功率来惩处这一部分的问题，单充电枪功率正朝着越过350KW标的演进。瞻望到2025年，不错体验到15分钟充满80%的电能。

收货于SiC功率器件给新动力汽车带来的诸多上风，SiC主驱乘用车型正逐年快速增多。左证公开数据夸耀，2023年选拔SiC主驱的新款乘用车型已达45款，而在2017年，各人仅有特斯拉的一款车型有选拔SiC器件。从累计数据来看，到2023年，选拔SiC器件的国产车型悉数一经达到了142款，其中乘用车76款。

从通盘这个词SiC功率器件市集限制来看，左证市集商榷机构的Yole Intelligence在Power SiC 2022申诉中提供的数据夸耀：SiC功率器件市集瞻望将合手续增长，2021年至2027年的复合年增长率将越过30%，2027年将越过60亿好意思元，瞻望汽车市集将占该市集的80%傍边。至极于通盘这个词新动力汽车选拔SiC功率器件的市集是十足被大开了。目下，主驱哄骗的主流器件如故以1200V SiC MOSFET为主。天然，400V的平台目下亦然选拔750V的SiC在作念一些替代。

除新动力汽车除外，充电桩市集亦然关于SiC功率器件需求相等重生的一个市集。据统计，2024年通盘这个词充电桩所需的SiC功率器件市集限制已达到25亿东说念主民币。目下我国举座的汽车充电桩保有量约在900-1000万傍边。如果按照2030年的通盘这个词贪图，通盘这个词汽车保有量要达到6000万辆，同期车桩比达到1：1，至极于在畴昔4-5年咱们约略还要增多5000万个充电桩。按照目下的联想，充电模块一经运转用SiC，而况在DC-DC包括PFC哄骗，用的数目至少是8个以上，是以通盘这个词市集需求限制瑕瑜常庞大的。

国外厂商驾御近92%的SiC功率器件市集

从目下SiC功率器件市集方式来看，目下主淌若被国产厂商所驾御。左证TrendForce数据夸耀，在2023年各人碳化硅功率器件市集，意法半导体（ST）以32.6%市占率位居第一，安森好意思（onsemi）则由2022年的第四名跃居第二名，市集份额为23.6%。紧随自后的则是英飞凌（Infineon，16.5%）、Wolfspeed（11.1%）、罗姆半导体（ROHM，8%）。这前五大国外SiC功率器件供应商约占通盘这个词市集营收的91.9%。

据詹旭标显露，当今国内通盘这个词SiC产业链是比较溜达的，诚然可能在衬底或者外延部分当今一经酿成了一些限制，然则在SiC功率器件，额外是车规级SiC功率器件这一块，目下国产SiC MOSFET出货销售额基本是在几千万的水平，对比国外的巨头，出货量及销售额差距瑕瑜常大的。

另外，从这些头部的SiC功率器件厂商的产能贪图来看，目下他们都在合手续扩大SiC的产能。比如Wolfspeed主见插足65亿好意思元来扩大SiC产能；罗姆主见投资37亿好意思元扩产；安森好意思主见投资20亿好意思元扩产；英飞凌的目下贪图的总投资亦然达到了50亿欧元；ST与中国三安集团合营，主见投资约200亿元东说念主民币扩产；博世主见投资15亿好意思元扩产。显然，国外这些SiC器件巨头扩产的投资限制都很大。

SiC行将进入产能满盈阶段

比拟国际巨头的巨资扩产，中国国内SiC厂商的插足也在合手续扩大。左证现存数据统计，目下国产的SiC的产能贪图投资悉数约1000亿元东说念主民币。不外，目下中国SiC产能投资过于溜达，头部企业也不够强。

从具体的国产SiC衬底贪图产能来看，左证预测，到2026年，国内通盘这个词SiC衬底的产能贪图约略是468万片/年（折合6英寸晶圆）。如果这460万片SiC衬底产能都能够凯旋进行量产，届时它将能自负约略3000万辆新动力汽车的需求。

左证中汽协数据夸耀，2023年，中国新动力汽车产量为958.7万辆，同比增长35.8%；销量达到了949.5万辆，同比增长37.9%；而Rho Motion的最新看望数据夸耀，2024岁首至9月底，各人共卖出1150万辆电动车，其中国市集销量高达720万辆，年增长率达35%，在各人当中的占比约63%。

詹旭标暗意，按照目下的一些预测数据来看，乐不雅瞻望的话，到2026年，中国新动力汽车的产量大聚合增长到2800万~2900万。届时国产SiC衬底的产能将可自负约略3000万辆新动力汽车的需求，重复国际SiC产能大幅增长，届时各人SiC行业将会进入内卷、产能满盈的阶段。

跟着各人SiC材料的产能快速扩展，目下中国SiC器件联想跟制造也相应地获得快速的发展，而况产能亦然合手续在扩展。除了在主驱上的哄骗，目下在光伏、储能包括充电模块，这些市集竞争都瑕瑜常强烈的，而况由于通盘这个词市集的强烈竞争或者产能满盈导致主流器件的价钱亦然快速下落。

比如，在2023年9月份到2024年4月份，市集热卖的1200V/40mΩ的SiC功率器件的平均价钱，一经从35元跌到了23元，下落幅度达到35%。而况对比硅基IGBT价钱，目下约略是1.5-2倍。左证预测，如果SiC的价钱达到同类硅基功率器件1.5-2倍价钱区间，通盘这个词市鸠合发生庞大的变革，SiC的浸透率将会快速增长。

如果按照Yole数据，2024年各人功率半导体市集限制约略是500亿好意思元，那么两三年后，SiC功率器件的价钱下落到硅基功率器件1.2倍-1.5倍，那么这500亿好意思元会不会一都都是SiC的呢市集？毕竟SiC功率器件对比硅基功率器件领有高频率、高功率密度、低损耗等诸多上风。

“从永远来看，只须提高SiC企业的竞争力，通逾期间迭代来达成通盘这个词时间降本增效，这是SiC企业赖以糊口的惟一路子。”詹旭标归来说说念。

国产SiC器件时间水平与国外差距马上削弱

跟着通盘这个词新动力汽车主驱以及光伏、储能、充电充行业的快速发展，目下通盘这个词国内SiC产业链也一经日趋完善。从材意象辅材、到衬底、外延、加工斥地，包括联想、代工，当今基本上都瑕瑜常完善的，每个细分行业，都有了相等典型的代表厂商。

在詹旭标看来，国产SiC器件时间水平跟国际的头部企业，通盘这个词差距一经相等小的。“我个东说念主以为，目下是莫得很大差距的。如果要说有差距，这个差距细则是不错汲取的差距。”

那目下主流SiC MOSFET时间约略是什么样的水平呢？

詹旭标将主流的两种联想有经营大致作念了一个分类：

第一类，是平面栅极结构的器件，代表厂商有Wolfspeed、ST、onsemi。平面栅极结构的MOSFET目下亦然在国内或者在汽车范畴包括光伏储能，它的出货量是最大的，而况它的可靠性目下亦然最佳的，而且工艺瑕瑜常进修的。

第二类是沟槽栅极，主要以罗姆、英飞凌、博世等厂商为代表。沟槽栅极跟平面栅极各有优流毒，平面栅通盘这个词工艺进修，它在高温下导通电阻是相对比较低的；而沟槽栅极会有比较低的Rsp，即比导通电阻比较低，但它在高温下的热性能莫得平面栅结构的参数这样好。

从近十年来国际主流SiC厂家的时间迭代道路来看，至极于每过3-6年的区间，国际厂商会迭代一次，而况每次迭代约略下落20%-25%的Rsp水平。主流的SiC尤其是国外的时间水平，比如1200V SiC的Rsp约略能达到2.3~2.8mΩ。目下国内1200V SiC MOSFET Rsp可能在2.8~3.3 mΩ，差距正在快速削弱。

詹旭标还以清纯半导体为例，与ST、罗姆等头部的SiC功率器件厂商进行了对比。

目下清纯半导体基本上是以1年1代新家具的节律快速迭代。从其第一代SiC MOSFET家具Rsp是在3.3mΩ･cm2傍边，到2023年发布的第二代家具一经达到了2.8mΩ･cm2。比拟之下，2022年ST 1200V的MOSFET Rsp亦然2.8mΩ･cm2。本年清纯半导体将会发布第三家具，通盘这个词Rsp不错作念到2.4mΩ･cm2，将跟国际巨头目下的最新的家具作念到险些打平。

此外，清纯半导体针对主驱范畴有推出比较多的家具，比如有24往日毫米、25往日毫米、27往日毫米、30往日毫米尺寸的家具，但主流的包括国外厂家针对主驱的芯片亦然比较少的。

“其时咱们是秉着一个比较卷的作风，跟行业去作念对标。咱们1200V家具系列的中枢参数，十足对标国际一活水平，而况在某些参数上或在可靠性方面可能会比他们更好。”詹旭标进一步解释说念：“咱们昨年还发布了各人最低导通电阻SiC MOSFET，约略是3.5mΩ，通盘这个词尺寸是10×10往日毫米的面积。诚然它的哄骗是比较少，然则它的存在瑕瑜常特好奇好奇。它至极于不错带领咱们的下一代家具，因为咱们不错对它作念了一个相等详备的良率分析，在不同的材料、不同的工艺，咱们不错很了了包括很准确地了解针对每一个器件的良率。”

詹旭标还以国际头部企业目下在新动力汽车内部用得最多、最进修的器件与清纯半导体的家具在相通的驱动、相通的参数、相通的板子上作念一个详备的作念了1：1的对比。结果夸耀，清纯半导体的家具串扰拦截能力（串扰可能导致纵贯情状，或者会增多通盘这个词损耗）一经率先国际一活水平。

詹旭标指出：“在相通的dv/dt条目下，咱们通盘这个词参数包括动态参数发达也更优。这亦然允许咱们不错在相同的参数下，缩小开关损耗。对比竞品，咱们约略能缩小35%-40%的开关损耗，同期晋升家具的后果。”

另外，关于SiC功率器件来说，主要哄骗于工业级和车规级市集，因此客户关于家具可靠性的要求相等高。目下行业都是一经按照车规品级的模范作念了一些愈加严格的测试，尤其是在主驱方面的哄骗。

对此，清纯半导体也对其家具作念了相等全面且严苛的可靠性测试，达成了新动力汽车级工业哄骗400万颗MOSFET零失效的出色成绩。

小结：

跟着SiC市集竞争越来越强烈，以及产能行将进入满盈的阶段，国产厂商要思胜出就必须思办法缩小老本和提高家具的性能。

关于材料来说，一方面不错向更大尺寸的SiC材料发展，比如目下主要6英寸的SiC衬底，但头部的厂商一经进入了8英寸，尺寸越大，不错制造的器件就越多，不错摊薄老本。另一方面即是晋升良率，缩小SiC衬底的颓势率。此外还不错向外延制备标的发展。

关于器件来说，主要即是往比导通电阻越来越低的水平去联想，同期在可靠性或者鲁棒性方面向硅基IGBT的水准对都。针对工艺方面，沟说念搬动率的问题不错进行更多的商榷。

从市集端来看，目下国内在SiC材料、器件量产已运转进入内卷和洗牌快车说念。

SiC功率器件在光储充的国产替代一经大都量哄骗，生效鼓舞2-3年，限制合手续扩大，部分企业已率先完成100%国产替代。

诚然国产车规级SiC MOSFET时间与产能已对标国际水平，但由于多样原因，SiC MOSFET在乘用车主驱哄骗目下仍依赖入口，但瞻望畴昔2~3年后方位细则会有大幅改善。不外，由于竞争强烈和哄骗场景复杂，车规级SiC MOSFET可靠性模范逐年提高，这也将进一步推动联想和制造时间越过。因此，在这块国产需要合手续跟上。

此外，强烈的市集竞争将促使国内SiC半导体家具价钱快速下落、质地不休提高、产能合手续扩大，主驱芯片国产替代一经起步，并将安稳上量，最终有望主导各人供应链。

“在完成SiC半导体时间编削及市集阐发后，国际竞争焦点安稳从时间研发升沉到大限制量产。依托庞大的哄骗市集和高效产能晋升，中国在不久的将来有可能主导各人SiC半导体产业。”詹旭标归来说说念。

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